קנה Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPD50N06S4L12ATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

מספר חלק

IPD50N06S4L12ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

PG-TO252-3-11

פיזור כוח (מקסימום)

50W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

40nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2890pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1441 PCS

פרטי התקשרות