התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
IPD30N06S223ATMA1

IPD30N06S223ATMA1

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
מספר חלק
IPD30N06S223ATMA1
יצרן/מותג
סִדרָה
OptiMOS™
סטטוס חלק
Discontinued at Digi-Key
אריזה
Tape & Reel (TR)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
חבילת מכשירי ספק
PG-TO252-3
פיזור כוח (מקסימום)
100W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
55V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
32nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
901pF @ 25V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±20V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1803 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 רכיבים אלקטרוניים
IPD30N06S223ATMA1 מכירות
ספק IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 מפיץ
IPD30N06S223ATMA1 טבלת נתונים
IPD30N06S223ATMA1 תמונות
מחיר IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 הצעה
IPD30N06S223ATMA1 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש IPD30N06S223ATMA1
IPD30N06S223ATMA1 רכישה
שבב IPD30N06S223ATMA1