קנה Infineon Technologies IPB65R110CFDAATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IPB65R110CFDAATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

מספר חלק

IPB65R110CFDAATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

277.8W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

31.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.3mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

118nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3240pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1092 PCS

פרטי התקשרות