קנה Infineon Technologies IPB60R250CPATMA1 MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB60R250CPATMA1

MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3

מספר חלק

IPB60R250CPATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

PG-TO263-3-2

פיזור כוח (מקסימום)

104W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

35nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1200pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3305 PCS

פרטי התקשרות