קנה Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

מספר חלק

IPB60R080P7ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™ P7

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

D²PAK (TO-263AB)

פיזור כוח (מקסימום)

129W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

51nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2180pF @ 400V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3601 PCS

פרטי התקשרות