קנה Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB100N06S2L05ATMA1

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

מספר חלק

IPB100N06S2L05ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

PG-TO263-3-2

פיזור כוח (מקסימום)

300W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

55V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

230nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

5660pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1797 PCS

פרטי התקשרות