קנה Global Power Technologies Group GP2M011A090NG MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

GP2M011A090NG

MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

מספר חלק

GP2M011A090NG

יצרן/מותג

Global Power Technologies Group

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-3P-3, SC-65-3

חבילת מכשירי ספק

TO-3PN

פיזור כוח (מקסימום)

416W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

900V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

84nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3240pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 889 PCS

פרטי התקשרות