קנה Global Power Technologies Group GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

GP2M005A060CG

MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

מספר חלק

GP2M005A060CG

יצרן/מותג

Global Power Technologies Group

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

D-Pak

פיזור כוח (מקסימום)

98.4W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

14nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

658pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 805 PCS

פרטי התקשרות