קנה Global Power Technologies Group GP2M002A065PG MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

GP2M002A065PG

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

מספר חלק

GP2M002A065PG

יצרן/מותג

Global Power Technologies Group

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

חבילת מכשירי ספק

I-PAK

פיזור כוח (מקסימום)

52W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

8.5nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

353pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3651 PCS

פרטי התקשרות