קנה Global Power Technologies Group GP1M004A090H MOSFET N-CH 900V 4A TO220

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

GP1M004A090H

MOSFET N-CH 900V 4A TO220

מספר חלק

GP1M004A090H

יצרן/מותג

Global Power Technologies Group

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220

פיזור כוח (מקסימום)

123W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

900V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

25nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

955pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1230 PCS

פרטי התקשרות