קנה GeneSiC Semiconductor MURTA600120R DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

MURTA600120R

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

מספר חלק

MURTA600120R

יצרן/מותג

GeneSiC Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Bulk

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילה / מארז

Three Tower

חבילת מכשירי ספק

Three Tower

סוג דיודה

Standard

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

2.6V @ 300A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

25µA @ 1200V

תצורת דיודה

1 Pair Common Anode

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

1200V

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io) (לדיודה)

300A

מְהִירוּת

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 675 PCS

פרטי התקשרות