קנה GeneSiC Semiconductor MURTA40060 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

MURTA40060

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

מספר חלק

MURTA40060

יצרן/מותג

GeneSiC Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Bulk

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילה / מארז

Three Tower

חבילת מכשירי ספק

Three Tower

סוג דיודה

Standard

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

1.7V @ 200A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

25µA @ 600V

תצורת דיודה

1 Pair Common Cathode

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

600V

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io) (לדיודה)

200A

מְהִירוּת

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2455 PCS

פרטי התקשרות