קנה GeneSiC Semiconductor MBR60035CTL DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

MBR60035CTL

DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

מספר חלק

MBR60035CTL

יצרן/מותג

GeneSiC Semiconductor

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Bulk

סוג הרכבה

Chassis Mount

חבילה / מארז

Twin Tower

חבילת מכשירי ספק

Twin Tower

סוג דיודה

Schottky

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

600mV @ 300A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

3mA @ 35V

תצורת דיודה

1 Pair Common Cathode

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

35V

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io) (לדיודה)

300A

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

טמפרטורת הפעלה - צומת

-55°C ~ 150°C

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2437 PCS

פרטי התקשרות