התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
EPC2111
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
מספר חלק
EPC2111
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Tape & Reel (TR)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
כוח - מקסימום
-
חבילת מכשירי ספק
Die
סוג FET
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
GaNFET (Gallium Nitride)
מתח ניקוז למקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1644 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC2111
EPC2111 רכיבים אלקטרוניים
EPC2111 מכירות
ספק EPC2111
EPC2111 מפיץ
EPC2111 טבלת נתונים
EPC2111 תמונות
מחיר EPC2111
EPC2111 הצעה
EPC2111 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC2111
EPC2111 רכישה
שבב EPC2111