קנה EPC EPC2108 MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

EPC2108

MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

מספר חלק

EPC2108

יצרן/מותג

EPC

סִדרָה

eGaN®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

9-VFBGA

כוח - מקסימום

חבילת מכשירי ספק

9-BGA (1.35x1.35)

סוג FET

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

תכונת FET

GaNFET (Gallium Nitride)

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V, 100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

22pF @ 30V, 7pF @ 30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2295 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

EPC2001

TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE