EPC2107ENGRT
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
מספר חלק
EPC2107ENGRT
יצרן/מותג
סִדרָה
eGaN®
סטטוס חלק
Discontinued at Digi-Key
אריזה
Digi-Reel®
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
9-VFBGA
כוח - מקסימום
-
חבילת מכשירי ספק
9-BGA (1.35x1.35)
סוג FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
תכונת FET
GaNFET (Gallium Nitride)
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2111 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT רכיבים אלקטרוניים
EPC2107ENGRT מכירות
ספק EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT מפיץ
EPC2107ENGRT טבלת נתונים
EPC2107ENGRT תמונות
מחיר EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT הצעה
EPC2107ENGRT המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT רכישה
שבב EPC2107ENGRT