EPC2102
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
מספר חלק
EPC2102
יצרן/מותג
סִדרָה
eGaN®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Digi-Reel®
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
כוח - מקסימום
-
חבילת מכשירי ספק
Die
סוג FET
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
GaNFET (Gallium Nitride)
מתח ניקוז למקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
6.8nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
830pF @ 30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 2971 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC2102
EPC2102 רכיבים אלקטרוניים
EPC2102 מכירות
ספק EPC2102
EPC2102 מפיץ
EPC2102 טבלת נתונים
EPC2102 תמונות
מחיר EPC2102
EPC2102 הצעה
EPC2102 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC2102
EPC2102 רכישה
שבב EPC2102