EPC2047ENGRT
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
מספר חלק
EPC2047ENGRT
יצרן/מותג
סִדרָה
eGaN®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Cut Tape (CT)
טֶכנוֹלוֹגִיָה
GaNFET (Gallium Nitride)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
חבילת מכשירי ספק
Die
פיזור כוח (מקסימום)
-
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
200V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 7mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
10.2nC @ 5V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1050pF @ 100V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
5V
Vgs (מקסימום)
+6V, -4V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 1173 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT רכיבים אלקטרוניים
EPC2047ENGRT מכירות
ספק EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT מפיץ
EPC2047ENGRT טבלת נתונים
EPC2047ENGRT תמונות
מחיר EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT הצעה
EPC2047ENGRT המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT רכישה
שבב EPC2047ENGRT