EPC2022
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
מספר חלק
EPC2022
יצרן/מותג
סִדרָה
eGaN®
סטטוס חלק
Active
אריזה
Digi-Reel®
טֶכנוֹלוֹגִיָה
GaNFET (Gallium Nitride)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
Die
חבילת מכשירי ספק
Die
פיזור כוח (מקסימום)
-
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12mA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
-
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1500pF @ 50V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
5V
Vgs (מקסימום)
+6V, -4V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3763 PCS
פרטי התקשרות
מוצרים קשורים
מילות מפתח של EPC2022
EPC2022 רכיבים אלקטרוניים
EPC2022 מכירות
ספק EPC2022
EPC2022 מפיץ
EPC2022 טבלת נתונים
EPC2022 תמונות
מחיר EPC2022
EPC2022 הצעה
EPC2022 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש EPC2022
EPC2022 רכישה
שבב EPC2022