קנה Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

ZXMN10B08E6TA

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

מספר חלק

ZXMN10B08E6TA

יצרן/מותג

Diodes Incorporated

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6

חבילת מכשירי ספק

SOT-26

פיזור כוח (מקסימום)

1.1W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

9.2nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

497pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.3V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3535 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

ZXMN0545FFTA

MOSFET N-CH 450V SOT23F-3