קנה Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

DMN2013UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

מספר חלק

DMN2013UFX-7

יצרן/מותג

Diodes Incorporated

סִדרָה

סטטוס חלק

Discontinued at Digi-Key

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-VFDFN Exposed Pad

כוח - מקסימום

780mW

חבילת מכשירי ספק

W-DFN5020-6

סוג FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

57.4nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2607pF @ 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3326 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26