קנה Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

DMHC6070LSD-13

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

מספר חלק

DMHC6070LSD-13

יצרן/מותג

Diodes Incorporated

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

1.6W

חבילת מכשירי ספק

8-SO

סוג FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3.1A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

11.5nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

731pF @ 20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 794 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

DMHC10H170SFJ-13

MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12