קנה CEL NESG7030M04-A DISCRETE RF DIODE

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

NESG7030M04-A

DISCRETE RF DIODE

מספר חלק

NESG7030M04-A

יצרן/מותג

CEL

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Bulk

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-343F

כוח - מקסימום

125mW

חבילת מכשירי ספק

M04

סוג טרנזיסטור

NPN

נוכחי - אספן (Ic) (מקסימום)

30mA

מתח - התמוטטות פולט קולט (מקסימום)

4.3V

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 5mA, 2V

תדר - מעבר

5.8GHz

נתון רעש (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz

לְהַשִׂיג

14dB ~ 21dB

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2493 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

NESG2021M05-EVNF58

EVAL BOARD NESG2021M05 5.8GHZ