קנה Advanced Linear Devices Inc. ALD1110ESAL MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

ALD1110ESAL

MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

מספר חלק

ALD1110ESAL

יצרן/מותג

Advanced Linear Devices Inc.

סִדרָה

EPAD®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טמפרטורת פעולה

0°C ~ 70°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

כוח - מקסימום

600mW

חבילת מכשירי ספק

8-SOIC

סוג FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

10V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 Ohm @ 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.01V @ 1µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2.5pF @ 5V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2533 PCS

פרטי התקשרות