The H11AG1M series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled with a silicon phototransistor using dual-row plug-inencapsulation. This device has the unique feature of high current transfer ratio at low output voltage and low input current. This feature makes it ideal for low power logic circuits, telecom equipment and portable electronic isolation applications
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.