Triode/MOS tube/transistor/module
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
יצרנים
N-channel, VDSS withstand voltage 30V, ID current 150A, RDON on-resistance 2.4mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1.2-2.5V,
תיאור
N-channel, 25V, 60A, 9mΩ@10V
תיאור
N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 80 A, 3.8 mΩ
תיאור
LRC (Leshan Radio)
יצרנים
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
תיאור
DIODES (US and Taiwan)
יצרנים
LRC (Leshan Radio)
יצרנים
APM (Jonway Microelectronics)
יצרנים
TWGMC (Taiwan Dijia)
יצרנים
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 120@50mA,1V
תיאור
Potens (Bosheng Semiconductor)
יצרנים
P-channel, -30V, -7A
תיאור
ST (STMicroelectronics)
יצרנים